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高品质、大规格碳化硅晶体生长技术产业化项目启动
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519日,中科钢研在北京钓鱼台国宾馆举办碳化硅成果发布会。

国宏华业、上海大革、山东商河政府、山西平遥政府、河南漯河政府、山东茌平政府及相关投资企业、友好合作单位及国资委新闻中心、新华社、中央人民广播电台等近20家新闻媒体代表共130人参加了发布会。



中科钢研在高品质、大规格碳化硅晶体生长技术的研发取得了突破性进展,伴随其产业化项目正式启动,中科钢研为我国摆脱碳化硅半导体衬底片依赖进口的尴尬局面。

作为第三代半导体材料,碳化硅凭借其在高温、高压、高频等条件下的优异性能,成为当今最受关注的新型半导体材料之一。采用碳化硅材料制成的电力电子元件可工作于极端或恶劣环境下,特别适用于航空航天、石油地质勘探、高速铁路、新能源汽车、太阳能逆变器及工业驱动等需要大功率电源转换的应用领域



中科钢研与国宏华业投资有限公司、上海大革智能科技有限公司联合研发的升华法4英寸导电性碳化硅晶体长晶生产过程稳定,装备自动化程度高,通过对核心工艺技术及装备的研发升级,在晶体良品率和节能降耗等关键指标上取得了突破性进展,高品质、大规格碳化硅晶体生产即将进入产业化。

 中科钢研将突破6英寸“高品质、低成本”导电型碳化硅晶体升华法长晶工艺及装备制造,并达到产业化水平,同时将在全国完成30亿元投资布局,打造国内最大的碳化硅晶体衬底片生产基地。


来源:国宏中晶(北京)科技发展有限公司


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